Programmierbarer optischer Abschwächer Hersteller

Unsere Fabrik bietet Faserlasermodule, ultraschnelle Lasermodule und Hochleistungsdiodenlaser. Unser Unternehmen übernimmt ausländische Prozesstechnologie, verfügt über fortschrittliche Produktions- und Testgeräte, im Gerätekopplungspaket hat das Moduldesign den führenden Technologie- und Kostenkontrollvorteil sowie das perfekte Qualitätssicherungssystem, das die Bereitstellung der hohen Leistung für den Kunden garantieren kann , Zuverlässige Qualität optoelektronischer Produkte.

heiße Produkte

  • Hochleistungs-1450-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode

    Hochleistungs-1450-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode

    Die leistungsstarke 1450-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode mit eingebauter eingebauter Monitor-Fotodiode, thermoelektrischem Kühler TEC und Thermistor, Monomode- oder polarisationserhaltendem Faserpigtail, Wellenlänge/Temperaturkoeffizient 0,01 nm/℃.
  • 905 nm 25 W gepulster Laserchip

    905 nm 25 W gepulster Laserchip

    Der 905 nm 25 W gepulste Laserchip, Ausgangsleistung 25 W, lange Lebensdauer, hohe Effizienz, weit verbreitet in LiDAR, Messgeräten, Sicherheit, Forschung und Entwicklung und anderen Bereichen.
  • 915 nm 200 W Laserdioden-Hochleistungs-Fasergekoppeltes Modul

    915 nm 200 W Laserdioden-Hochleistungs-Fasergekoppeltes Modul

    Das fasergekoppelte 915-nm-200-W-Laserdioden-Hochleistungsmodul bietet bis zu 200 Watt CW-Ausgangsleistung in einem 106- oder 200-Mikrometer-Faserpigtail. Diese Geräte basieren auf einem hochzuverlässigen Single-Emitter-Design. Ihr Single-Emitter-basiertes Design liefert eine sehr gute Wärmeableitung durch das Gehäuse, was zu einer hervorragenden thermischen Leistung über eine lange Lebensdauer führt. Fortschrittliche Prozesse für die Kopplungseffizienz ermöglichen es diesen Modulen, bis zu 95 % ihrer Ausgangsleistung innerhalb von 0,22 NA zu liefern. Sie werden mit 1,5 Meter (typisch) nicht abgeschlossenem Faserpigtail geliefert.
  • 300-um-InGaAs-Fotodiodenchip

    300-um-InGaAs-Fotodiodenchip

    Der 300-um-InGaAs-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
  • 976 nm 10 W 20 W CW-Diodenlaser-Bare-Chip

    976 nm 10 W 20 W CW-Diodenlaser-Bare-Chip

    Der 976 nm 10 W 20 W CW-Diodenlaser-Bare-Chip, Ausgangsleistung von 10 W bis 20 W, lange Lebensdauer, hohe Effizienz, weit verbreitet in Industriepumpen, Laserbeleuchtung, Forschung und Entwicklung und anderen Bereichen.
  • 1290 nm 5 mW TO-CAN DFB-Laserdiode

    1290 nm 5 mW TO-CAN DFB-Laserdiode

    Diese 1290-nm-5-mW-TO-CAN-DFB-Laserdiode ist ein Produkt, das über einen breiten Temperaturbereich mit einem niedrigen Temperatur-Wellenlängen-Koeffizienten betrieben werden kann. Es eignet sich gut für Anwendungen wie Kommunikationsforschung, Interferometrie und optische Reflektometrie zur Abstandsmessung in Glasfaser oder im freien Raum. Jedes Gerät wird einem Test und einem Burn-In unterzogen. Dieser Laser wird in einer 5,6-mm-TO-Dose geliefert. Es enthält eine integrierte asphärische Fokussierungslinse in der Kappe, die eine Anpassung des Fokusflecks und der numerischen Apertur (NA) an die SMF-28e+-Faser ermöglicht.

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