Der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip ist ideal für optische Netzwerkanwendungen mit hoher Bandbreite von 1310 nm und 1550 nm. Die Geräteserie bietet eine hohe Empfindlichkeit, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Bandbreite für ein Empfängerdesign mit hoher Leistung und geringer Empfindlichkeit. Dieses Gerät ist ideal für Hersteller von optischen Empfängern, Transpondern, optischen Übertragungsmodulen und der Kombination PIN-Fotodiode – Transimpedanzverstärker.
Der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip ist ideal für optische Netzwerkanwendungen mit hoher Bandbreite von 1310 nm und 1550 nm. Die Geräteserie bietet eine hohe Empfindlichkeit, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Bandbreite für ein Empfängerdesign mit hoher Leistung und geringer Empfindlichkeit. Dieses Gerät ist ideal für Hersteller von optischen Empfängern, Transpondern, optischen Übertragungsmodulen und der Kombination PIN-Fotodiode – Transimpedanzverstärker.
Der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip ist ideal für optische Netzwerkanwendungen mit hoher Bandbreite von 1310 nm und 1550 nm. Die Geräteserie bietet eine hohe Empfindlichkeit, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Bandbreite für ein Empfängerdesign mit hoher Leistung und geringer Empfindlichkeit. Dieses Gerät ist ideal für Hersteller von optischen Empfängern, Transpondern, optischen Übertragungsmodulen und der Kombination PIN-Fotodiode – Transimpedanzverstärker.
Erkennungsbereich 900nm-1650nm;
Schnelle Geschwindigkeit;
Hohe Reaktionsfähigkeit;
Niedrige Kapazität;
Niedriger Dunkelstrom;
Oben beleuchtete Flächenstruktur.
Überwachung;
Faseroptische Instrumente;
Datenkommunikation.
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Sperrspannung | VRmax | 20 | V |
| Betriebstemperatur | Topr | -40 bis +85 | ℃ |
| Lagertemperatur | Tstg | -55 bis +125 | ℃ |
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Reaktionsfähigkeit | R | λ = 1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| λ = 1550nm | - | 0.95 | - | |||
| λ = 850nm | - | 0.20 | - | |||
| Dunkle Strömung | ICH WÜRDE | Vr=5V | - | 1.5 | 10.0 | n / a |
| Kapazität | C | VR=5V, f=1MHz | - | 50 | 80 | pF |
| Bandbreite (3dB nach unten) | Bw | V=0V, RL=50Ω | - | 40 | - | MHz |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Durchmesser des aktiven Bereichs | D | 1000±10 | Äh |
| Bondpad-Durchmesser | - | 120±3 | Äh |
| Würfelgröße | - | 1250x1250 (±30) | Äh |
| Die Dicke | t | 180±20 | Äh |
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A: Wir haben 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm InGaAs-Fotodiodenchip mit aktiver Fläche.
F: Was ist die Anforderung an den Connector?A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.
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