50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodioden-APDs sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 900 bis 1700 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm ist ideal geeignet für augensichere Entfernungsmessungsanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.
50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodioden-APDs sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 900 bis 1700 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm ist ideal geeignet für augensichere Entfernungsmessungsanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie.
Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls verfügbar.
50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodioden-APDs sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 900 bis 1700 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm ist ideal geeignet für augensichere Entfernungsmessungsanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie.
Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls verfügbar.
Erkennungsbereich 900nm-1700nm;
Große dynamische Reichweite;
Hohe Verantwortung;
Niedriger Dunkelstrom;
Standard-TO-46-Paket.
Optischer Sensor;
Optische Freiraumkommunikation.
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | max. | Einheit |
| PD Sperrspannung | VR | CW | - | 60 | V |
| Vorwärtsstrom | WENN | CW | - | 3 | mA |
| Betriebstemperatur | OBEN | Gehäusetemperatur | -40 | +85 | ℃ |
| Lagertemperatur | TSTG | Umgebungstemperatur | -40 | +85 | ℃ |
| Bleilöttemperatur/Zeit | Ts | - | - | 260/10 | ℃/S |
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 900 | - | 1700 | nm | |
| Aktiver Bereich | φ | - | - | 50 | - | Äh |
| Verantwortung | Betreff | M=1,λ=1310nm | 0.85 | - | - | A/W |
| Multiplikations-Faktor | M | VR=VBR-3, λ=1310nm,φe=1uW | 10 | - | - | - |
| Dunkle Strömung | ICH WÜRDE | VR=VBR-3, φe=0 | - | - | 10 | n / a |
| Sperrspannung | VBR | ID=10μA, φe=0 | 40 | 43 | 45 | V |
| -3dBm Bandbreite | SW | M=10, RL= 50Ω | 2.0 | - | - | GHz |
| Kapazität | C | M=10, φe=0 | - | - | 0.5 | pF |
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A: Wir haben 0,3 mm 0,5 mm 1 mm aktive Avalanche-Fotodioden.
F: Was ist die Anforderung an den Connector?A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.
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