Fotodioden

Boxoptronics bietet eine große Auswahl an Fotodioden (PD) mit verschiedenen Größen und Gehäusen der aktiven Fläche. Diskrete Fotodioden mit PIN-Übergang umfassen Materialien aus Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) und Silizium (Si). die auf einer N-auf-P-Struktur basieren, stehen ebenfalls zur Verfügung. Die InGaAs-Fotodioden mit hoher Empfindlichkeit von 900 bis 1700 nm und die Silizium (Si)-Fotodiode mit hoher Empfindlichkeit von 400 bis 1100 nm.
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  • Der 50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip ist eine Fotodiode mit interner Verstärkung, die durch das Anlegen einer Sperrspannung erzeugt wird. Sie haben ein höheres Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) als Fotodioden sowie ein schnelles Zeitverhalten, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Empfindlichkeit. Der spektrale Antwortbereich liegt typischerweise zwischen 900 und 1650 nm.

  • Der 200-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, um eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.

  • Der großflächige 500-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, um eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.

  • 200-um-InGaAs-Lawinenfotodioden (APDs) sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 1100 bis 1650 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm eignet sich ideal für augensichere Entfernungsmessanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.

  • 500 µm TO CAN InGaAs-Lawinenfotodioden (APDs) sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 1100 bis 1650 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm eignet sich ideal für augensichere Entfernungsmessanwendungen im optischen Freiraum Kommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.

  • 50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodioden-APDs sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 900 bis 1700 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm ist ideal geeignet für augensichere Entfernungsmessungsanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.

Angepasste Fotodioden können bei Box Optronics gekauft werden. Als einer der professionellen Hersteller und Lieferanten in China Fotodioden unterstützen wir Kunden dabei, bessere Produktlösungen bereitzustellen und die Branchenkosten zu optimieren. Fotodioden made in China ist nicht nur hochwertig, sondern auch günstig. Sie können unsere Produkte zu günstigen Preisen im Großhandel anbieten. Darüber hinaus unterstützen wir auch Großverpackungen. Unser Wert ist "Kunde zuerst, Service vor allem, Glaubwürdigkeitsgrundlage, Win-Win-Kooperation". Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Fabrik. Lassen Sie uns zusammenarbeiten, um eine bessere Zukunft und gegenseitigen Nutzen zu schaffen.
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