Der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip ist ideal für optische Netzwerkanwendungen mit hoher Bandbreite von 1310 nm und 1550 nm. Die Geräteserie bietet eine hohe Empfindlichkeit, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Bandbreite für ein Empfängerdesign mit hoher Leistung und geringer Empfindlichkeit. Dieses Gerät ist ideal für Hersteller von optischen Empfängern, Transpondern, optischen Übertragungsmodulen und der Kombination PIN-Fotodiode – Transimpedanzverstärker.
Der 50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip ist eine Fotodiode mit interner Verstärkung, die durch das Anlegen einer Sperrspannung erzeugt wird. Sie haben ein höheres Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) als Fotodioden sowie ein schnelles Zeitverhalten, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Empfindlichkeit. Der spektrale Antwortbereich liegt typischerweise zwischen 900 und 1650 nm.
Der 200-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, um eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.
Der großflächige 500-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, um eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.
50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodioden-APDs sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 900 bis 1700 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm ist ideal geeignet für augensichere Entfernungsmessungsanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.
200-um-InGaAs-Lawinenfotodioden (APDs) sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 1100 bis 1650 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm eignet sich ideal für augensichere Entfernungsmessanwendungen, optische Freiraumkommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.
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