Der 50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip ist eine Fotodiode mit interner Verstärkung, die durch das Anlegen einer Sperrspannung erzeugt wird. Sie haben ein höheres Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) als Fotodioden sowie ein schnelles Zeitverhalten, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Empfindlichkeit. Der spektrale Antwortbereich liegt typischerweise zwischen 900 und 1650 nm.
Der 50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip ist eine Fotodiode mit interner Verstärkung, die durch das Anlegen einer Sperrspannung erzeugt wird. Sie haben ein höheres Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) als Fotodioden sowie ein schnelles Zeitverhalten, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Empfindlichkeit. Der spektrale Antwortbereich liegt typischerweise zwischen 900 und 1650 nm.
Der 50-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip ist eine Fotodiode mit interner Verstärkung, die durch das Anlegen einer Sperrspannung erzeugt wird. Sie haben ein höheres Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) als Fotodioden sowie ein schnelles Zeitverhalten, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Empfindlichkeit. Der spektrale Antwortbereich liegt typischerweise zwischen 900 und 1650 nm.
Erkennungsbereich 900nm-1650nm;
Schnelle Geschwindigkeit;
Hohe Reaktionsfähigkeit;
Niedrige Kapazität;
Niedriger Dunkelstrom;
Oben beleuchtete Flächenstruktur.
Überwachung;
Faseroptische Instrumente;
Datenkommunikation.
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Maximaler Vorwärtsstrom | - | 10 | mA |
| Maximale Spannungsversorgung | - | VBR | V |
| Betriebstemperatur | Topr | -40 bis +85 | ℃ |
| Lagertemperatur | Tstg | -55 bis +125 | ℃ |
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Die Spannung unterbrechen | VBR | Kennung = 10 uA | 40 | - | 52 | V |
| Temperaturkoeffizient von VBR | - | - | - | 0.12 | - | V/℃ |
| Reaktionsfähigkeit | R | VR = VBR -3 V | 10 | 13 | - | A/W |
| Dunkle Strömung | ICH WÜRDE | VBR-3V | - | 0.4 | 10.0 | n / a |
| Kapazität | C | V = 38 V, f = 1 MHz | - | 8 | - | pF |
| Bandbreite | Bw | - | - | 2.0 | - | GHz |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Durchmesser des aktiven Bereichs | D | 53 | Äh |
| Bondpad-Durchmesser | - | 65 | Äh |
| Würfelgröße | - | 250 x 250 | Äh |
| Die Dicke | t | 150±20 | Äh |
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A: Wir haben 50um 200um 500um aktive Fläche InGaAs Avalanche Photodiode Chip.
F: Was ist die Anforderung an den Connector?A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.
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