Der großflächige 500-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, um eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.
Der großflächige 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, Äh eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.
Der großflächige 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, Äh eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.
Erkennungsbereich 900nm-1650nm;
Schnelle Geschwindigkeit;
Hohe Reaktionsfähigkeit;
Niedrige Kapazität;
Niedriger Dunkelstrom;
Oben beleuchtete Flächenstruktur.
Überwachung;
Faseroptische InstrÄhente;
Datenkommunikation.
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Maximaler Vorwärtsstrom | - | 10 | mA |
| Maximale Spannungsversorgung | - | VBR | V |
| Betriebstemperatur | Topr | -40 bis +85 | ℃ |
| Lagertemperatur | Tstg | -55 bis +125 | ℃ |
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Die Spannung unterbrechen | VBR | Kennung = 10uA | 40 | - | 52 | V |
| Temperaturkoeffizient von VBR | - | - | - | 0.12 | - | V/℃ |
| Reaktionsfähigkeit | R | VR = VBR -3 V | 10 | 13 | - | A/W |
| Dunkle Strömung | ICH WÜRDE | VBR-3V | - | 0.4 | 10.0 | n / a |
| Kapazität | C | V = 38 V, f = 1 MHz | - | 8 | - | pF |
| Bandbreite | Bw | - | - | 2.0 | - | GHz |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Durchmesser des aktiven Bereichs | D | 53 | Äh |
| Bondpad-Durchmesser | - | 65 | Äh |
| Würfelgröße | - | 250 x 250 | Äh |
| Die Dicke | t | 150±20 | Äh |
Alle Produkte wurden vor dem Versand getestet;
Alle Produkte haben 1-3 Jahre Garantie. (Nachdem die Qualitätsgarantiezeit begonnen hat, wird eine angemessene Wartungsgebühr erhoben.)
Wir wissen Ihr Geschäft zu schätzen und bieten ein sofortiges 7-tägiges Rückgaberecht. (7 Tage nach Erhalt der Artikel);
Wenn die Artikel, die Sie in unserem Geschäft kaufen, nicht von perfekter Qualität sind, das heißt, sie funktionieren elektronisch nicht gemäß den Herstellerspezifikationen, senden Sie sie einfach zÄh Austausch oder zur Rückerstattung an uns zurück;
Wenn die Artikel defekt sind, benachrichtigen Sie uns bitte innerhalb von 3 Tagen nach Lieferung;
Alle Artikel müssen in ihrem ursprünglichen Zustand zurückgegeben werden, Äh eine Rückerstattung oder einen Ersatz zu erhalten;
Der Käufer trägt alle anfallenden Versandkosten.
A: Wir haben 50Äh 200Äh 500Äh aktive Fläche InGaAs Avalanche Photodiode Chip.
F: Was ist die Anforderung an den Connector?A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Faseroptische Module, Hersteller von fasergekoppelten Lasern, Lieferanten von Laserkomponenten Alle Rechte vorbehalten.
