Großflächiger 500-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip
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Großflächiger 500-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip

Der großflächige 500-um-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, um eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.

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Produktbeschreibung

1. Zusammenfassung des großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

Der großflächige 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, Äh eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.

2. Einführung des großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

Der großflächige 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchip wurde speziell entwickelt, Äh eine geringe Dunkelheit, eine niedrige Kapazität und eine hohe Avalanche-Verstärkung zu haben. Unter Verwendung dieses Chips kann ein optischer Empfänger mit hoher Empfindlichkeit erreicht werden.

3. Merkmale des großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

Erkennungsbereich 900nm-1650nm;

Schnelle Geschwindigkeit;

Hohe Reaktionsfähigkeit;

Niedrige Kapazität;

Niedriger Dunkelstrom;

Oben beleuchtete Flächenstruktur.

4. Anwendung eines großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

Überwachung;

Faseroptische InstrÄhente;

Datenkommunikation.

5. Absolute Höchstwerte des großflächigen InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips mit 500 µm

ParameterSymbolWertEinheit
Maximaler Vorwärtsstrom-10mA
Maximale Spannungsversorgung-VBRV
BetriebstemperaturTopr-40 bis +85
LagertemperaturTstg-55 bis +125

6. Elektrooptische Eigenschaften (T=25℃) des großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

ParameterSymbolZustandMindest.Typ.max.Einheit
Wellenlängenbereichλ 900-1650nm
Die Spannung unterbrechenVBRKennung = 10uA40-52V
Temperaturkoeffizient von VBR---0.12-V/℃
ReaktionsfähigkeitRVR = VBR -3 V1013-A/W
Dunkle StrömungICH WÜRDEVBR-3V-0.410.0n / a
KapazitätCV = 38 V, f = 1 MHz-8-pF
BandbreiteBw--2.0-GHz

7. Abmessungsparameter eines großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

ParameterSymbolWertEinheit
Durchmesser des aktiven BereichsD53Äh
Bondpad-Durchmesser-65Äh
Würfelgröße-250 x 250Äh
Die Dicket150±20Äh

8. Lieferung, Versand und Servieren eines großflächigen 500-Äh-InGaAs-Avalanche-Fotodiodenchips

Alle Produkte wurden vor dem Versand getestet;

Alle Produkte haben 1-3 Jahre Garantie. (Nachdem die Qualitätsgarantiezeit begonnen hat, wird eine angemessene Wartungsgebühr erhoben.)

Wir wissen Ihr Geschäft zu schätzen und bieten ein sofortiges 7-tägiges Rückgaberecht. (7 Tage nach Erhalt der Artikel);

Wenn die Artikel, die Sie in unserem Geschäft kaufen, nicht von perfekter Qualität sind, das heißt, sie funktionieren elektronisch nicht gemäß den Herstellerspezifikationen, senden Sie sie einfach zÄh Austausch oder zur Rückerstattung an uns zurück;

Wenn die Artikel defekt sind, benachrichtigen Sie uns bitte innerhalb von 3 Tagen nach Lieferung;

Alle Artikel müssen in ihrem ursprünglichen Zustand zurückgegeben werden, Äh eine Rückerstattung oder einen Ersatz zu erhalten;

Der Käufer trägt alle anfallenden Versandkosten.

8. Häufig gestellte Fragen

F: Welchen aktiven Bereich möchten Sie?

A: Wir haben 50Äh 200Äh 500Äh aktive Fläche InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

F: Was ist die Anforderung an den Connector?

A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.

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