1030 nm DFB-Laserdiode Hersteller

Unsere Fabrik bietet Faserlasermodule, ultraschnelle Lasermodule und Hochleistungsdiodenlaser. Unser Unternehmen übernimmt ausländische Prozesstechnologie, verfügt über fortschrittliche Produktions- und Testgeräte, im Gerätekopplungspaket hat das Moduldesign den führenden Technologie- und Kostenkontrollvorteil sowie das perfekte Qualitätssicherungssystem, das die Bereitstellung der hohen Leistung für den Kunden garantieren kann , Zuverlässige Qualität optoelektronischer Produkte.

heiße Produkte

  • 915-nm-12-W-Chip auf Submount-COS-Laserdiode

    915-nm-12-W-Chip auf Submount-COS-Laserdiode

    Die 915-nm-12-W-Chip-on-Submount-COS-Laserdiode nutzt AuSn-Bonden und P-Down-Gehäuse mit zahlreichen Vorteilen wie hoher Zuverlässigkeit, stabiler Ausgangsleistung, hoher Leistung, hohem Wirkungsgrad, langer Lebensdauer und hoher Kompatibilität und wird auf dem Markt häufig eingesetzt.
  • 1310-nm-Schlittendiode mit niedriger Polarisation für faseroptisches Gyroskop

    1310-nm-Schlittendiode mit niedriger Polarisation für faseroptisches Gyroskop

    Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen eine 1310-nm-SLED-Diode mit niedriger Polarisation für faseroptische Gyroskope anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und pünktliche Lieferung.
  • 1570 nm DFB-Butterfly-Laserdiode

    1570 nm DFB-Butterfly-Laserdiode

    1570-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode Diese Laserdioden werden in einer standardmäßigen 14-Pin-Butterfly-Halterung bereitgestellt und verfügen über eine eingebaute Monitor-Fotodiode, einen thermoelektrischen Kühler mit Peltier-Effekt, einen Thermistor und einen optischen Isolator. Die SMF28- oder PM-Glasfaser-Ausgangsfaser kann mit SC/PC-, FC/PC-, SC/APC- oder FC/APC-Anschlüssen abgeschlossen werden.
  • 840nm 850 nm 20 MW Superlumineszenzdiode (SLD) Lichtquellen

    840nm 850 nm 20 MW Superlumineszenzdiode (SLD) Lichtquellen

    Die 850 nm 20 MW Superluminescent Diode (SLD) -LLD -Quellen übernimmt die Halbleiter -Superstrahldioden -Technologie zum Ausgang eines Breitbandspektrums und gleichzeitig eine höhere Ausgangsleistung. Die Arbeitswellenlänge kann aus 840 nm 1310 nm 1550 nm und einer anderen Wellenlänge ausgewählt werden, die für Anwendungen wie die faserfaserfaser -Erfindung geeignet ist. Wir können Kommunikationsschnittstellen und Host -Computer -Software bereitstellen, um die Überwachung des Zustands der Lichtquelle zu erleichtern.
  • 1530-1566 nm Einkanal-EDFA-Booster-Verstärkermodul

    1530-1566 nm Einkanal-EDFA-Booster-Verstärkermodul

    Willkommen beim Kauf eines 1530-1566 nm Einkanal-EDFA-Booster-Verstärkermoduls bei uns. Jede Anfrage von Kunden wird innerhalb von 24 Stunden beantwortet.
  • 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip

    500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip

    Der 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.

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