Die mit Erbium dotierte L-Band-Faser ist dotiert und optimiert für L-Band-Einkanal- und Mehrkanal-Faserverstärker, ASE-Lichtquellen, Stadtnetze, CATV und EDFA für DWDM. Eine hohe Dotierung kann die Länge der Erbiumfaser verringern und dadurch den nichtlinearen Effekt der Faser verringern. Die Faser kann bei 980 nm oder 1480 nm gepumpt werden und weist geringe Verluste und eine gute Konsistenz mit Kommunikationsfaserverbindungen auf.
Der 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
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Dieses 1550-nm-2-W-Einzelwellenlängen-Hochleistungs-CW-DFB-Faserlasermodul verwendet einen DFB-Laserchip und ein optisches Pfadmodul mit hoher Leistungsverstärkung, um die Hochleistungsleistung von Singlemode-Fasern zu realisieren. Der professionell gestaltete Laserantriebs- und Temperaturregelkreis gewährleistet den sicheren und stabilen Betrieb des Lasers.
Die mit Erbium dotierte Faser mit hoher Absorption kann die Länge der verwendeten Faser reduzieren und dadurch den nichtlinearen Effekt der Faser verringern. Sie wird hauptsächlich in 1,5-µm-Faserverstärkern und Faserlasern verwendet. Die Faser wird bei 980 nm oder 1480 nm gepumpt und weist einen geringen Spleißverlust und eine gute Konsistenz auf.
Diese 1550-nm-5-mW-TO-CAN-DFB-Laserdiode ist ein Produkt, das über einen breiten Temperaturbereich mit einem niedrigen Temperatur-Wellenlängen-Koeffizienten betrieben werden kann. Es eignet sich gut für Anwendungen wie Kommunikationsforschung, Interferometrie und optische Reflektometrie zur Abstandsmessung in Glasfaser oder im freien Raum. Jedes Gerät wird einem Test und einem Burn-In unterzogen. Dieser Laser wird in einer 5,6-mm-TO-Dose geliefert. Es enthält eine integrierte asphärische Fokussierungslinse in der Kappe, die eine Anpassung des Fokusflecks und der numerischen Apertur (NA) an die SMF-28e+-Faser ermöglicht.
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