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  • Als professioneller Hersteller von 974 nm 300 mW DIL-Pumplaser mit kleinem Paket ohne TEC-Kühler können Sie sicher sein, 974 nm 300 mW DIL-Pumplaser mit kleinem Paket ohne TEC-Kühler in unserem Werk zu kaufen, und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und pünktliche Lieferung.

  • Dieses 1550-nm-2-W-Einzelwellenlängen-Hochleistungs-CW-DFB-Faserlasermodul verwendet einen DFB-Laserchip und ein optisches Pfadmodul mit hoher Leistungsverstärkung, um die Hochleistungsleistung von Singlemode-Fasern zu realisieren. Der professionell gestaltete Laserantriebs- und Temperaturregelkreis gewährleistet den sicheren und stabilen Betrieb des Lasers.

  • Die mit Erbium dotierte Faser mit hoher Absorption kann die Länge der verwendeten Faser reduzieren und dadurch den nichtlinearen Effekt der Faser verringern. Sie wird hauptsächlich in 1,5-µm-Faserverstärkern und Faserlasern verwendet. Die Faser wird bei 980 nm oder 1480 nm gepumpt und weist einen geringen Spleißverlust und eine gute Konsistenz auf.

  • Diese 1550-nm-5-mW-TO-CAN-DFB-Laserdiode ist ein Produkt, das über einen breiten Temperaturbereich mit einem niedrigen Temperatur-Wellenlängen-Koeffizienten betrieben werden kann. Es eignet sich gut für Anwendungen wie Kommunikationsforschung, Interferometrie und optische Reflektometrie zur Abstandsmessung in Glasfaser oder im freien Raum. Jedes Gerät wird einem Test und einem Burn-In unterzogen. Dieser Laser wird in einer 5,6-mm-TO-Dose geliefert. Es enthält eine integrierte asphärische Fokussierungslinse in der Kappe, die eine Anpassung des Fokusflecks und der numerischen Apertur (NA) an die SMF-28e+-Faser ermöglicht.

  • Der Hochleistungs-C-Band-1-W-30-dBm-Erbium-dotierte Faserverstärker EYDFA (EYDFA-HP) basiert auf der doppelt ummantelten Erbium-dotierten Faserverstärkertechnologie und nutzt einen einzigartigen optischen Verpackungsprozess, gepaart mit einem zuverlässigen Hochleistungs-Laserschutzdesign. um eine Hochleistungslaserleistung im Wellenlängenbereich von 1540 bis 1565 nm zu erreichen. Mit hoher Leistung und geringem Rauschen kann es in der Glasfaserkommunikation, Lidar usw. verwendet werden.

  • Der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, der 1-mm-InGaAs/InP-PIN-Fotodiodenchip ist ideal für optische Netzwerkanwendungen mit hoher Bandbreite von 1310 nm und 1550 nm. Die Geräteserie bietet eine hohe Empfindlichkeit, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe Bandbreite für ein Empfängerdesign mit hoher Leistung und geringer Empfindlichkeit. Dieses Gerät ist ideal für Hersteller von optischen Empfängern, Transpondern, optischen Übertragungsmodulen und der Kombination PIN-Fotodiode – Transimpedanzverstärker.

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