Der 300-um-InGaAs-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
Multi Wavelength Gain Flattened EDFA Amplifier ist eine Reihe von Faserverstärkern, die in Glasfaserkommunikationssystemen verwendet werden. Es kann Signale mit mehreren Wellenlängen im C-Band gleichzeitig verstärken und die gleiche Verstärkung bei allen Wellenlängen beibehalten, mit einer Verstärkungsflachheit von ≥ 1,5 dBm, die ein breites Spektrum, mehrere Wellenlängen, eine flache Verstärkung, eine hohe Verstärkung und ein geringes Rauschen aufweist.
BoxOptronics Einzelfrequenz-gepulster Erbium-dotierter Faserverstärker EDFA ist ein Faserverstärker, der für Einzelfrequenz-Nanosekundenimpulse mit schmaler Linienbreite ausgelegt ist. Die spektrale Linienbreite des Eingangslaserimpulses kann bis zum KHz-Pegel reichen. Es kann eine hohe Impulsenergieabgabe erreichen und gleichzeitig nichtlineare Impulse effektiv unterdrücken. Linearer Effekt, Singlemode oder polarisationserhaltender Faserausgang. Kann in verteilter Sensorik, Doppler-Lidar und anderen Anwendungen verwendet werden.
Dieses 1550 nm 500 mW CW-DFB-Faserlasermodul mit einer Wellenlänge verwendet einen DFB-Laserchip und ein optisches Pfadmodul mit hoher Leistungsverstärkung, um die hohe Ausgangsleistung von Singlemode-Fasern zu realisieren. Der professionell gestaltete Laserantriebs- und Temperaturregelkreis gewährleistet den sicheren und stabilen Betrieb des Lasers.
Die mit Erbium dotierte L-Band-Faser ist dotiert und optimiert für L-Band-Einkanal- und Mehrkanal-Faserverstärker, ASE-Lichtquellen, Stadtnetze, CATV und EDFA für DWDM. Eine hohe Dotierung kann die Länge der Erbiumfaser verringern und dadurch den nichtlinearen Effekt der Faser verringern. Die Faser kann bei 980 nm oder 1480 nm gepumpt werden und weist geringe Verluste und eine gute Konsistenz mit Kommunikationsfaserverbindungen auf.
Der 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
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