Der 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
Der 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
Der 500-um-InGaAs-PIN-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
Erkennungsbereich 900nm-1650nm;
Schnelle Geschwindigkeit;
Hohe Reaktionsfähigkeit;
Niedrige Kapazität;
Niedriger Dunkelstrom;
Oben beleuchtete Flächenstruktur.
Überwachung;
Faseroptische Instrumente;
Datenkommunikation.
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Sperrspannung | VRmax | 20 | V |
| Vorwärtsstrom | - | 10 | mA |
| Betriebstemperatur | Topr | -40 bis +85 | ℃ |
| Lagertemperatur | Tstg | -55 bis +125 | ℃ |
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Reaktionsfähigkeit | R | λ = 1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| λ = 1550nm | - | 0.95 | - | |||
| λ = 850nm | - | 0.20 | - | |||
| Dunkle Strömung | ICH WÜRDE | Vr=5V | - | 1.0 | 10.0 | n / a |
| Kapazität | C | VR=5V, f=1MHz | - | 13 | 18 | pF |
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
| Durchmesser des aktiven Bereichs | D | 500 | Äh |
| Bondpad-Durchmesser | - | 100 | Äh |
| Würfelgröße | - | 700 x 700 | Äh |
| Die Dicke | t | 180±20 | Äh |
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A: Wir haben 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm InGaAs-Fotodiodenchip mit aktiver Fläche.
F: Was ist die Anforderung an den Connector?A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.
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