0,3-mm-InGaAs-Photodioden mit aktiver Fläche für Nah-Infrarot-Lichtdetektion. Zu den Merkmalen gehören hohe Geschwindigkeit, hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen und Spektralantworten im Bereich von 1100 nm bis 1650 nm. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich optischer Kommunikation, Analyse und Messung.
Die 0,3-mm-InGaAs-Fotodioden mit aktiver Fläche für die Detektion von Licht im nahen Infrarot. Zu den Merkmalen gehören hohe Geschwindigkeit, hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen und Spektralantworten im Bereich von 1100 nm bis 1650 nm. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich optischer Kommunikation, Analyse und Messung.
Die 0,3-mm-InGaAs-Fotodioden mit aktiver Fläche für die Detektion von Licht im nahen Infrarot. Zu den Merkmalen gehören hohe Geschwindigkeit, hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen und Spektralantworten im Bereich von 1100 nm bis 1650 nm. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich optischer Kommunikation, Analyse und Messung.
Erfassungsbereich 1100nm-1650nm;
Koaxialpaket;
Niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität;
Hohe Zuverlässigkeit, lange Lebensdauer.
Analoger optischer Empfänger;
Test Ausrüstung.
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| Aktiver Bereich | φ | - | - | 0.3 | - | mm |
| Reaktionsfähigkeit | R | Vr=-5V, λ =1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| Vr=-5V, λ =1550nm | 0.90 | 0.95 | - | |||
| Dunkle Strömung | ICH WÜRDE | Vr=-5V | - | - | 1 | n / a |
| Betriebsspannung | V | - | - | -5 | - | V |
| Steigende Zeit | TR | VR=5V, RL=50Ω | - | - | 1.5 | ns |
| Kapazität | CPD | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | - | 20 | pF |
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A: Wir haben 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm aktive Fläche InGaAs PIN-Fotodiode.
F: Was ist die Anforderung an den Connector?A: Box Optronics kann nach Ihren Anforderungen anpassen.
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