500 µm TO CAN InGaAs-Lawinenfotodioden (APDs) sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 1100 bis 1650 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm eignet sich ideal für augensichere Entfernungsmessanwendungen im optischen Freiraum Kommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie. Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.
500 µm TO CAN InGaAs-Lawinenfotodioden (APDs) sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 1100 bis 1650 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm eignet sich ideal für augensichere Entfernungsmessanwendungen im optischen Freiraum Kommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie.
Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.
500 µm TO CAN InGaAs-Lawinenfotodioden (APDs) sind die größten im Handel erhältlichen InGaAs-APDs mit hoher Empfindlichkeit und extrem schneller Anstiegs- und Abfallzeit im gesamten Wellenlängenbereich von 1100 bis 1650 nm. Die Spitzenempfindlichkeit bei 1550 nm eignet sich ideal für augensichere Entfernungsmessanwendungen im optischen Freiraum Kommunikation, OTDR und optische Kohärenztomographie.
Der Chip ist hermetisch in einem modifizierten TO-Gehäuse versiegelt, eine Pigtail-Option ist ebenfalls erhältlich.
Erkennungsbereich 1100 nm–1650 nm;
Eine große dynamische Reichweite;
Hohe Verantwortung;
Niedriger Dunkelstrom;
Standard-TO-46-Gehäuse.
Optischer Sensor;
Optische Freiraumkommunikation.
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Max. | Einheit |
| PD Sperrspannung | VR | CW | - | VBR | V |
| Vorwärtsstrom | WENN | CW | - | 10 | mA |
| Rückstrom | IR | CW | - | 10 | mA |
| Betriebstemperatur | SPITZE | Gehäusetemperatur | -40 | +85 | ℃ |
| Lagertemperatur | TSTG | Umgebungstemperatur | -40 | +85 | ℃ |
| Bleilöttemperatur/-zeit | Ts | - | - | 260/10 | â/S |
| Parameter | Symbol | Zustand | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| Wellenlängenbereich | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| Aktiver Bereich | φ | - | - | 500 | - | Äh |
| Verantwortung | Betreff | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| Multiplikations-Faktor | M | VR=VBR-4, λ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
| Dunkle Strömung | AUSWEIS | VR=VBR-4, Ïe=0 | - | 60 | 200 | n / A |
| Rückwärtsdurchbruchspannung | VBR | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
| Bandbreite | BW | -3dB-Punkt, M=10, RL=50Ω | - | 2.5 | - | GHz |
| Kapazität | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | 8 | - | pF |
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A: Wir haben Lawinenfotodioden mit aktiver Fläche von 0,3 mm, 0,5 mm und 1 mm.
F: Was sind die Anforderungen an den Steckverbinder?A: Box Optronics kann entsprechend Ihren Anforderungen anpassen.
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