Gepulster Erbium-dotierter Faserverstärker Hersteller

Unsere Fabrik bietet Faserlasermodule, ultraschnelle Lasermodule und Hochleistungsdiodenlaser. Unser Unternehmen übernimmt ausländische Prozesstechnologie, verfügt über fortschrittliche Produktions- und Testgeräte, im Gerätekopplungspaket hat das Moduldesign den führenden Technologie- und Kostenkontrollvorteil sowie das perfekte Qualitätssicherungssystem, das die Bereitstellung der hohen Leistung für den Kunden garantieren kann , Zuverlässige Qualität optoelektronischer Produkte.

heiße Produkte

  • 976 nm 12 W Diodenlaserchip

    976 nm 12 W Diodenlaserchip

    Der 976-nm-12-W-Diodenlaserchip, Ausgangsleistung 12 W, lange Lebensdauer, hoher Wirkungsgrad, weit verbreitet in Industriepumpen, Laserbeleuchtung, Forschung und Entwicklung und anderen Bereichen.
  • 2000nm Band ASE Breitbandlichtquelle

    2000nm Band ASE Breitbandlichtquelle

    Die 2000-nm-Band-ASE-Breitbandlichtquelle verwendet kurzwellenlängen-laserpumpende Thulium-dotierte optische Faser. Die einzelne optische Faserausgangsleistung kann bis zu 2W erreichen, und die breiteste Spektrumabdeckung kann 1780 ~ 2000 nm (bei 100 MW) abdecken, was für Anwendungen wie Laserbiologie und Spektralmessung geeignet ist.
  • Hochleistungs-1450-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode

    Hochleistungs-1450-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode

    Die leistungsstarke 1450-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode mit eingebauter eingebauter Monitor-Fotodiode, thermoelektrischem Kühler TEC und Thermistor, Monomode- oder polarisationserhaltendem Faserpigtail, Wellenlänge/Temperaturkoeffizient 0,01 nm/℃.
  • Benchtop-Typ Erbium-dotierter Faser-Inline-Verstärker

    Benchtop-Typ Erbium-dotierter Faser-Inline-Verstärker

    Benchtop-Typ Erbium-dotierter Faser-Inline-Verstärker kombiniert die Vorteile eines PA-Verstärkers und eines BA-Verstärkers mit hoher Verstärkung, hoher Sendeleistung und relativ geringem Rauschen.
  • Erbiumdotierter Faserverstärker EDFA

    Erbiumdotierter Faserverstärker EDFA

    Der mit Erbium dotierte Faserverstärker EDFA kann zur Verbesserung der optischen Signalleistung im Bereich von -6 dBm bis +3 dBm verwendet werden, und die Sättigungsleistung kann bis zu 26 dBm betragen, was nach dem optischen Sender zur Verbesserung der Sendeleistung verwendet werden kann.
  • 850 nm 5 mW fasergekoppelte Superlumineszenzdioden-SLDs

    850 nm 5 mW fasergekoppelte Superlumineszenzdioden-SLDs

    Die 850 nm 5 mW fasergekoppelten Superlumineszenzdioden SLDs sind eine Lichtquelle für Faserübertragungssysteme, faseroptische Kreisel, faseroptische Sensoren, optische Kohärenztomographie und optische Messungen. Die Diode ist in einem 14-poligen Standard-Butterfly-Gehäuse mit Monitor-Fotodiode und thermoelektrischem Kühler (TEC) untergebracht. Das Modul ist mit einer Singlemode-Faser zur Beibehaltung der Polarisation ausgestattet und über einen FC/APC-Stecker angeschlossen.

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