Willkommen beim Kauf des fasergekoppelten 1310-nm-Faserlasermoduls Hi1060 bei uns. Jede Anfrage von Kunden wird innerhalb von 24 Stunden beantwortet.
Willkommen beim Kauf eines 1530-1566 nm Einkanal-EDFA-Booster-Verstärkermoduls bei uns. Jede Anfrage von Kunden wird innerhalb von 24 Stunden beantwortet.
Die Polarisation, die doppelt gekleidete ytterbium-dotierte Faser beibehalten, ist für ultrashortierte Impulsfaser-Laser-Saatgutquellen und -verstärker ausgelegt, die Faserlaser und Verstärker mit hoher Leistung schmaler Linienbreiten usw. Diese Faser weist die Eigenschaften der Einzelmodusübertragung, Hochpolarisation Extinction-Verhältnis, niedrigem Biegenverlust, niedrigem Dunkelungsverfahren und hoher Diener mit hoher Hänge und -dienste und mit dem Verhältnis mit niedrigem Bags, und in der Arzneimittelverlust und der Einsatzverarbeitung und der Verhältnis von Industrie.
Diese 1290-nm-5-mW-TO-CAN-DFB-Laserdiode ist ein Produkt, das über einen breiten Temperaturbereich mit einem niedrigen Temperatur-Wellenlängen-Koeffizienten betrieben werden kann. Es eignet sich gut für Anwendungen wie Kommunikationsforschung, Interferometrie und optische Reflektometrie zur Abstandsmessung in Glasfaser oder im freien Raum. Jedes Gerät wird einem Test und einem Burn-In unterzogen. Dieser Laser wird in einer 5,6-mm-TO-Dose geliefert. Es enthält eine integrierte asphärische Fokussierungslinse in der Kappe, die eine Anpassung des Fokusflecks und der numerischen Apertur (NA) an die SMF-28e+-Faser ermöglicht.
Die C-Band Narrow Linewidth Integrated Tunable Laser Assembly ITLA verfügt über eine hervorragende optische Leistung in Bezug auf hohe Ausgangsleistungsstabilität, hohes Seitenmodenunterdrückungsverhältnis (SMSR), ultraschmale Laserlinienbreite, geringes relatives Intensitätsrauschen (RIN) und hohe Genauigkeit der Wellenlängensteuerung. Aufgrund dieser hohen Spezifikationen eignet sich das ITLA sehr gut für Anwendungen in fortschrittlichen optischen Kommunikationssystemen, Test- und Messsystemen sowie faseroptischen Sensornetzwerken, insbesondere bei hohen Datenraten von 40 Gbit/s und 100 Gbit/s mit fortschrittlichen optischen Modulationsschemata.
Die 1-mm-InGaAs-PIN-Fotodiode mit aktiver Fläche für die Erkennung von Licht im nahen Infrarot. Zu den Merkmalen gehören hohe Geschwindigkeit, hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen und Spektralantworten im Bereich von 1100 nm bis 1650 nm. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich optischer Kommunikation, Analyse und Messung.
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