Die 1273-nm-DFB-Butterfly-Laserdiode für die HF-Erfassung wurde speziell entwickelt, um die Anforderungen der Sensoranwendung zu erfüllen. Die Geräte zeichnen sich durch eine hohe Ausgangsleistung und einen weiten Betriebstemperaturbereich aus. Ihre 14-Pin-Butterfly-Gehäuse sind entweder pinkompatibel mit standardmäßigen SONET OC-48-Geräten.
Die 808-nm-12-W-COC-Laserdioden (Chip on Carrier) sind eine ausgezeichnete Wahl für Kunden, die eine hochmoderne Hochleistungsleistung in einem kostengünstigen Standard-Submount-Design suchen. BoxOptronics bietet den gesamten Wellenlängenbereich von 8XX bis 9XX und ist in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, darunter Singlemode- und Multimode-Geräte für CW- und Pulsbetrieb. Zu den Anwendungen für die COC-Geräte von BoxOptronics gehören OEM-Medizintechnik, Pumpquellen, militärische Zielerfassung, OTDR, Entfernungsmessung und Beleuchtung. Kundenspezifische Wellenlängen und Konfigurationen sind auf Anfrage erhältlich.
Diese hochwertige 760-nm-2-W-Faserlaserdiode LD wurde für Faserlaser-Pumpanwendungen sowie in medizinischen oder materialverarbeitenden Anwendungen entwickelt. Es bietet bis zu 2 W Laserleistung aus einer 105-µm-Faser bei einer numerischen Apertur von 0,22 mit optionaler Wellenlängenstabilisierung ab 760 nm.
Dieses 1550-nm-200-mW-CW-DFB-Faserlasermodul verwendet einen DFB-Laserchip und ein optisches Pfadmodul mit hoher Leistungsverstärkung, um die hohe Ausgangsleistung von Singlemode-Fasern zu realisieren. Der professionell gestaltete Laserantriebs- und Temperaturregelkreis gewährleistet den sicheren und stabilen Betrieb des Lasers.
Die mit Erbium dotierte C-Band-Faser ist für C-Band-Einkanal- und Mehrkanal-Faserverstärker, ASE-Lichtquellen, EDFA für Stadtnetze, EDFA für CATV und EDFA für DWDM konzipiert. Die optische Faser kann bei 980 nm oder 1480 nm gepumpt werden und weist einen geringen Verlust und eine gute Konsistenz bei der Verbindung mit einer optischen Kommunikationsfaser auf.
Der 300-um-InGaAs-Fotodiodenchip bietet eine hervorragende Reaktion von 900 nm bis 1700 nm, perfekt für die Telekommunikation und Nah-IR-Erkennung. Die Fotodiode ist perfekt für Anwendungen mit hoher Bandbreite und aktiver Ausrichtung.
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