Diese 1550-nm-5-mW-TO-CAN-DFB-Laserdiode ist ein Produkt, das über einen breiten Temperaturbereich mit einem niedrigen Temperatur-Wellenlängen-Koeffizienten betrieben werden kann. Es eignet sich gut für Anwendungen wie Kommunikationsforschung, Interferometrie und optische Reflektometrie zur Abstandsmessung in Glasfaser oder im freien Raum. Jedes Gerät wird einem Test und einem Burn-In unterzogen. Dieser Laser wird in einer 5,6-mm-TO-Dose geliefert. Es enthält eine integrierte asphärische Fokussierungslinse in der Kappe, die eine Anpassung des Fokusflecks und der numerischen Apertur (NA) an die SMF-28e+-Faser ermöglicht.
Die 915-nm-12-W-Chip-on-Submount-COS-Laserdiode nutzt AuSn-Bonden und P-Down-Gehäuse mit zahlreichen Vorteilen wie hoher Zuverlässigkeit, stabiler Ausgangsleistung, hoher Leistung, hohem Wirkungsgrad, langer Lebensdauer und hoher Kompatibilität und wird auf dem Markt häufig eingesetzt.
Diese 1610-nm-5-mW-TO-CAN-DFB-Laserdiode ist ein Produkt, das über einen breiten Temperaturbereich mit einem niedrigen Temperatur-Wellenlängen-Koeffizienten betrieben werden kann. Es eignet sich gut für Anwendungen wie Kommunikationsforschung, Interferometrie und optische Reflektometrie zur Abstandsmessung in Glasfaser oder im freien Raum. Jedes Gerät wird einem Test und einem Burn-In unterzogen. Dieser Laser wird in einer 5,6-mm-TO-Dose geliefert. Es enthält eine integrierte asphärische Fokussierungslinse in der Kappe, die eine Anpassung des Fokusflecks und der numerischen Apertur (NA) an die SMF-28e+-Faser ermöglicht.
Der 940-nm-12-W-LD-COS-Laserchip auf Submount, Ausgangsleistung 12 W, hoher Wirkungsgrad, lange Lebensdauer, weit verbreitet in Industriepumpen, Forschung und Entwicklung, Laserbeleuchtung, Medizin und anderen Bereichen.
Die 976-nm-12-W-Chip-on-Submount-COS-Laserdiode mit AuSn-Bonding und P-Down-Gehäuse bietet zahlreiche Vorteile wie hohe Zuverlässigkeit, stabile Ausgangsleistung, hohe Leistung, hohe Effizienz, lange Lebensdauer und hohe Kompatibilität und wird auf dem Markt häufig eingesetzt. Dieser Chip auf Das Submount-Laserdiodengehäuse muss korrekt mit dem Kühlkörper verlötet werden.
Der 808-nm-10-W-CW-Diodenlaser-Bare-Chip, Ausgangsleistung 10 W, lange Lebensdauer, hoher Wirkungsgrad, weit verbreitet in Industriepumpen, Laserbeleuchtung, Forschung und Entwicklung und anderen Bereichen.
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