915-nm-12-W-Chip auf Submount-COS-Laserdiode
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915-nm-12-W-Chip auf Submount-COS-Laserdiode

Die 915-nm-12-W-Chip-on-Submount-COS-Laserdiode nutzt AuSn-Bonden und P-Down-Gehäuse mit zahlreichen Vorteilen wie hoher Zuverlässigkeit, stabiler Ausgangsleistung, hoher Leistung, hohem Wirkungsgrad, langer Lebensdauer und hoher Kompatibilität und wird auf dem Markt häufig eingesetzt.

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Produktbeschreibung

1. Zusammenfassung des 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Die 915-nm-12-W-Chip-on-Submount-COS-Laserdiode nutzt AuSn-Bonden und P-Down-Gehäuse mit zahlreichen Vorteilen wie hoher Zuverlässigkeit, stabiler Ausgangsleistung, hoher Leistung, hohem Wirkungsgrad, langer Lebensdauer und hoher Kompatibilität und wird auf dem Markt häufig eingesetzt.

2. Einführung eines 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Die 915-nm-12-W-Chip-on-Submount-COS-Laserdiode nutzt AuSn-Bonden und P-Down-Gehäuse mit zahlreichen Vorteilen wie hoher Zuverlässigkeit, stabiler Ausgangsleistung, hoher Leistung, hohem Wirkungsgrad, langer Lebensdauer und hoher Kompatibilität und wird auf dem Markt häufig eingesetzt.

3. Merkmale des 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Andere Wellenlängen 808 nm, 915 nm, 975 nm optional;

Hohe Umwandlungseffizienz;

Lebensdauer > 20000h;

Niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität;

Hohe Zuverlässigkeit, lange Lebensdauer.

4. Anwendung eines 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Industrie;

Pumpenquelle;

Beleuchtung;

Medizinische Behandlung.

5. Elektrooptische Eigenschaften (T=25℃) eines 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit
Betrieb
Mittenwellenlänge λc 912 915 918 nm
Optische Ausgangsleistung Nach - 12 - W
Betriebsmodus - CW -
Leistungsmodulation - - 100 - %
Elektrooptische Daten
Divergenz der schnellen Achse (FWHM) θ⊥ - 29 - Grad
Slow-Axis-Divergenz (FWHM) θ‖ - 9 - Grad
Spektrale Bandbreite (FWHM) Dl - 4 - nm
Pulswellenlänge λ 912 915 918 nm
Pisteneffizienz η 0.95 - - W/A
Konvertierungseffizienz - 54 58 - %
Schwellenstrom ITH - 0.7 1 A
Betriebsstrom IOP - 13 14.5 A
Betriebsspannung AGB - 1.65 1.85 V
Temperatureigenschaften (dλ/dT) - - 0.35 - nm/℃
Polarisation - - DER - -
LD Betriebstemperatur - - 25 -
Geometrisch
Emitterbreite W - 95 - µm
Emitterabstand P 390 400 410 µm
Hohlraumlänge L 3990 4000 4010 µm
Dicke D 110 130 150 µm

6. Verpackungszeichnung und PIN-OUT-Definition (Einheit: mm) eines 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Hinweis: Bei der obigen Abbildung handelt es sich um eine Kühlkörperverpackung mit einer Größe von 4,5 x 4,5 x 0,5 mm. Wir können auch Kühlkörperverpackungen mit den Maßen 5,7*4,5*0,5 (mm) anbieten.

7. Lieferung, Versand und Wartung eines 915-nm-12-W-Chips auf einer Submount-COS-Laserdiode

Alle Produkte wurden vor dem Versand getestet;

Für alle Produkte gilt eine Garantie von 1 bis 3 Jahren. (Nach Ablauf der Qualitätsgarantiezeit wird eine entsprechende Wartungsgebühr erhoben.)

Wir freuen uns über Ihr Geschäft und bieten Ihnen ein sofortiges 7-tägiges Rückgaberecht. (7 Tage nach Erhalt der Artikel);

Wenn die Artikel, die Sie in unserem Shop kaufen, nicht von perfekter Qualität sind, das heißt, sie funktionieren elektronisch nicht gemäß den Herstellerspezifikationen, senden Sie sie einfach zum Umtausch oder zur Rückerstattung an uns zurück;

Sollten die Artikel defekt sein, benachrichtigen Sie uns bitte innerhalb von 3 Tagen nach Lieferung;

Alle Artikel müssen im Originalzustand zurückgegeben werden, um eine Rückerstattung oder einen Ersatz zu erhalten.

Der Käufer ist für alle anfallenden Versandkosten verantwortlich.

8. FAQ

F: Welche Wellenlänge möchten Sie?

A: Wir haben 808 nm, 830 nm, 880 nm, 915 nm und 975 nm.

F: Welche Ausgangsleistung wünschen Sie?

A: Box Optronics kann entsprechend Ihren Anforderungen anpassen.

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