905 nm 50 W gepulster Laserchip

Parameter

Symbol

Mindest.

Typ.

Max.

Einheit

Betrieb

Zentrum WavelLänge

λc

895

905

915

nm

Peak OAusgabe Power

Po

50

-

-

W

Betrieb MOde

-

QCW

-

Impulsbreite

t

-

200

-

%

Frequenz

f

-

5

-

KHz

Auslastungsgrad

D

-

0.1

-

%

Elektrooptische Daten

Schwelle Caktuell

I_TH

-

0.7

-

A

Betrieb Caktuell

I_OP

-

14

-

A

Betrieb VSpannung

V_OP

-

7.6

-

V

Steigung zEffizienz

η_D

-

3.7

-

W/A

Gesamtumwandlungseffizienz

η

-

47

-

%

Langsam axis dIvergenz (FWHM)

θ_‖

-

12

-

Grad

Schnell axis DIvergenz (FWHM)

θ_⊥

-

31

-

Grad

Spektrale Breite (FWHM)

Îλ

-

5

-

nm

Wellenlängen-Temperaturkoeffizient

λ_T

-

0.28

-

nm/℃

Polarisation

-

-

TE

-

-

LD-BetriebtTemperatur

-

-

25

-

℃

Geometrisch

Aktueller Injektionsquerschnittn

BxH

-

150x10

-

µm²

HohlraumlLänge

L

-

750

-

µm

Spanbreite

W

-

400

-

µm

Spanhöhe

H

-

150

-

µm