905 nm 25 W gepulster Laserchip

Parameter

Symbol

Mindest.

Typ.

Max.

Einheit

Betrieb

Zentrum WavelLänge

λc

895

905

915

nm

Höhepunkt oAusgabe Power

Po

25

-

-

W

Betrieb MOde

-

QCW

-

Impulsbreite

t

-

200

-

%

Frequenz

f

-

5

-

KHz

Auslastungsgrad

D

-

0.1

-

%

Elektrooptische Daten

Schwelle Caktuell

I_TH

-

0.5

-

A

Betrieb Caktuell

I_OP

-

7

-

A

Betrieb VSpannung

V_OP

-

7.2

-

V

Steigung zEffizienz

η_D

-

3.8

-

W/A

Gesamtumwandlungseffizienz

η

-

49

-

%

Langsam axisdIvergenz (FWHM)

θ_‖

-

14

-

Grad

Schnell axisdIvergenz (FWHM)

θ_⊥

-

29

-

Grad

Spektrale Breite (FWHM)

Îλ

-

5

-

nm

WDurchschnittlicher Temperaturkoeffizient

λ_T

-

0.28

-

nm/℃

Polarisation

-

-

TE

-

-

LD-BetriebtTemperatur

-

-

25

-

℃

Geometrisch

Aktueller Injektionsquerschnittn

BxH

-

74x10

-

µm²

Hohlraum LLänge

L

-

750

-

µm

Spanbreite

W

-

400

-

µm

Spanhöhe

H

-

150

-

µm