Dies ist ein verpackter Chip mit integrierten Schaltkreisen, die aus zehn oder mehreren zehn Milliarden Transistoren bestehen. Wenn wir unter einem Mikroskop hineinzoomen, können wir sehen, dass das Innere so komplex ist wie eine Stadt. Der integrierte Schaltkreis ist eine Art elektronisches Miniaturgerät oder -bauteil. Zusammen mit Verdrahtung und Zwischenverbindung, hergestellt auf einem kleinen oder mehreren kleinen Halbleiterwafern oder dielektrischen Substraten, um strukturell eng verbundene und intern verbundene elektronische Schaltungen zu bilden. Nehmen wir die einfachste Spannungsteilerschaltung als Beispiel, um zu veranschaulichen, wie man einen Effekt innerhalb des Chips realisiert und erzeugt.
Dank der Halbleitertechnologie können integrierte Schaltkreise klein gemacht werden. Reines Silizium ist ein Halbleiter, was bedeutet, dass die Fähigkeit, Elektrizität zu leiten, schlechter ist als die von Isolatoren, aber nicht so gut wie Metalle. Die geringe Anzahl mobiler Ladungen macht Silizium also zu einem Halbleiter. Doch eine Geheimwaffe ist beim Chipwork-Doping unverzichtbar. Es gibt zwei Dotierungstypen für Silizium, P-Typ und N-Typ. Silizium vom N-Typ leitet Elektrizität durch Elektronen (Elektronen sind negativ geladen), und Silizium vom P-Typ leitet Elektrizität durch Löcher (eine große Anzahl positiv geladener Löcher). Wie sieht der Schalter in der Spannungsteilerschaltung im Chip aus und wie funktioniert er?
Die Schalterfunktion in der integrierten Schaltung ist der Transistorkörper, der eine Art elektronischer Schalter ist. Die übliche MOS-Röhre ist die MOS-Röhre, und die MOS-Röhre besteht aus N-Typ- und P-Typ-Halbleitern auf dem P-Typ-Siliziumsubstrat. Es werden zwei Siliziumbereiche vom N-Typ hergestellt. Diese beiden Siliziumbereiche vom N-Typ sind die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode der MOS-Röhre. Dann wird über dem mittleren Bereich von Source und Drain eine Schicht aus Siliziumdioxid hergestellt und dann das Siliziumdioxid abgedeckt. Eine Leiterschicht, diese Leiterschicht ist der GATE-Pol der MOS-Röhre. Das Material vom P-Typ hat eine große Anzahl von Löchern und nur wenige Elektronen, und die Löcher sind positiv geladen, sodass die positiv geladenen Löcher in diesem Teil des Bereichs dominieren, und es gibt eine kleine Anzahl von negativ geladenen Elektronen, und der Bereich vom N-Typ ist negativ geladen. Elektronik dominiert.
Lassen Sie uns die Analogie eines Wasserhahns verwenden. Ganz rechts ist Quelle. Wir nennen es die Quelle, das ist der Ort, an dem das Wasser herausfließt. Das Tor in der Mitte ist das Tor, das einem Wasserventil entspricht. Der Abfluss auf der linken Seite ist, wo das Wasser austritt. Genau wie der Wasserfluss fließen auch Elektronen von der Quelle zum Abfluss. Dann gibt es ein Hindernis in der Mitte, das ist das P-Material. Das P-Material hat eine große Anzahl positiv geladener Löcher, und die Elektronen treffen auf die Löcher. Es ist neutralisiert und kann nicht durchkommen. was sollen wir dann tun? Wir können dem Gitter eine positive Ladung hinzufügen, um die negativ geladenen Elektronen im P-Typ-Material anzuziehen. Obwohl im P-Typ-Material nicht viele Elektronen vorhanden sind, kann das Hinzufügen einer positiven Ladung zum Gitter dennoch einige Elektronen anziehen, um einen Kanal zu bilden. Das Elektron passiert. Die Zusammenfassung ist, dass die Quelle die Quelle von Elektronen ist, die kontinuierlich Elektronen liefern, die zum Drain fließen, aber ob sie das Gitter passieren können. Das Gitter ist wie ein Ventil, ein Schalter, der das Öffnen und Schließen der MOS-Röhre steuert. Das ist das Prinzip der MOS-Röhre als elektronischer Schalter.
Nachdem nun der elektronische Schalter bekannt ist, schauen wir uns die Realisierung des Widerstands an. Erstellen Sie zuerst einen N-Typ-Bereich auf dem P-Typ-Siliziumsubstrat und verwenden Sie dann Metall, um die zwei Enden des N-Typ-Bereichs herauszuführen, so dass N1 und N2 die zwei Widerstände sind. Dies ist das Ende, also muss die integrierte Schaltung der Spannungsteilerschaltung Metall verwenden, um die MOS-Röhre und den Widerstand, über den wir gerade gesprochen haben, auf dem Siliziumchip gemäß der Verbindungsbeziehung der Schaltung zu verbinden.
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