Die Schlüsseltechnologie der Hochleistungslaserdiode
2021-07-02
Optimierung des Strukturdesigns: Die drei Grundprinzipien von Halbleiterlasern sind: elektrische Injektion und Eingrenzung, elektrisch-optische Umwandlung, optische Eingrenzung und Ausgabe, die jeweils dem elektrischen Injektionsdesign, dem Quantentopfdesign und dem optischen Felddesign der Wellenleiterstruktur entsprechen. Die Optimierung der Struktur von Quantentöpfen, Quantendrähten, Quantenpunkten und photonischen Kristallen hat die kontinuierliche Verbesserung der Lasertechnologie gefördert, wodurch die Ausgangsleistung und die elektrooptische Umwandlungseffizienz von Lasern immer höher und die Strahlqualität immer besser und besser wird Zuverlässigkeit . Hochwertige epitaktische Materialwachstumstechnologie: Die epitaktische Materialwachstumstechnologie mit Halbleiterlasern ist der Kern der Halbleiterlaserentwicklung. Es optimiert hauptsächlich die Dotierungskurve, um die Überlappung zwischen dem optischen Feld und dem stark dotierten Bereich zu verringern, wodurch der Absorptionsverlust freier Ladungsträger verringert und die Umwandlungseffizienz des Geräts verbessert wird. Hohlraumoberflächenbehandlungstechnologie: Durch verschiedene Hohlraumoberflächen-Passivierungs- und Beschichtungstechnologien können Defekte und Oxidation der Hohlraumoberfläche reduziert oder beseitigt, die Lichtabsorption der Hohlraumoberfläche verringert, der COMD-Wert der Hohlraumoberfläche erhöht und eine hohe Spitzenleistung erzielt werden. Integrierte Verpackungstechnologie: Die Forschung an der Schlüsseltechnologie der Hochleistungs-Halbleiterlaserverpackung soll von den Aspekten Wärme, Verpackungsmaterialien und Belastung ausgehen, das Verpackungsdesign von Wärmemanagement und thermischer Belastung lösen und einen technologischen Durchbruch erzielen die Entwicklung direkter Halbleiterlaser mit hoher Leistung, hoher Helligkeit und hoher Zuverlässigkeit.
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