Blue Light Halbleiterlaserstruktur und Arbeitsprinzip

Abhängig vom Material der aktiven Region variiert die Bandspaltbreite des Halbleitermaterials des Blue Light -Halbleiterlasers, sodass der Halbleiterlaser Licht in verschiedenen Farben abgeben kann. Das Material des aktiven Bereichs des Blue Light -Halbleiterlasers ist Gan oder Ingan. The structure of a typical GaN-based laser is shown in Figure 1. From bottom to top in the z direction, it is the n-electrode, GaN substrate, n-type A1GaN lower confinement layer, n-type hGaN lower waveguide layer, multi-quantum well (MQW) active region, unintentionally doped hGaN upper waveguide layer, p-type electron blocking layer (EBL), p-type A1gan Oberbeschließung, P-Typ-GaN-Schicht und P-Elektrode

Der materielle Brechungsindex des Multiquantum Well Active Region (MQWS) ist der höchste, und der Brechungsindex der Materialien auf beiden Seiten des aktiven Bereichs zeigt einen abnehmenden Trend. Durch die Verteilung des Brechungsindex des Materials in Z -Richtung mit hohen und niedrigen und niedrigen und unteren Richtlinie in der Z -Richtung kann das Lichtfeld in Z zwischen den oberen und unteren Wellenleiterschichten eingesperrt werden. In der y-Richtung wird ein Teil der P-Typ-Schicht auf beiden Seiten des Lasers durch Ätzen entfernt, und eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid (SiO2) wird abgelagert und bildet schließlich eine Gratstruktur. Der Brechungsindex von Siliziumdioxid und Luft ist kleiner als der der P-Typ-Schicht, sodass der Brechungsindex in y-Richtung in der Mitte und niedrig auf beiden Seiten hoch ist und das Lichtfeld auf die Mitte des Kamms beschränkt ist. Aufgrund der begrenzenden Wirkung der y- und z -Richtungen auf dem Lichtfeld zeigt das Lichtfeld in der YZ -Ebene eine elliptische Verteilung. In x -Richtung können die vorderen und hinteren Hohlraumoberflächen durch mechanische Spaltung oder Radierung gebildet werden, und das Reflexionsvermögen der vorderen und hinteren Hohlraumoberflächen kann durch Verdampfen des dielektrischen Films eingestellt werden. Normalerweise ist das Reflexionsvermögen der vorderen Hohlraumoberfläche kleiner als die der hinteren Hohlraumoberfläche, um sicherzustellen, dass der Laser von der Oberfläche der Fronthöhle emittiert wird.